主要特点
主要用于集成电路，先进封装等领域，为待减薄晶圆提供机械支撑。具有工序简单，键合温度相对低的优点，可大幅缩短键合工序所需时间。
规格参数
| 键合温度 | RT~150℃ |
| 键合压力 | 10KN |
| 极限真空度 | 100Pa |
| 对位精度 | ≤100μm |
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主要用于集成电路，先进封装等领域，为待减薄晶圆提供机械支撑。具有工序简单，键合温度相对低的优点，可大幅缩短键合工序所需时间。
| 键合温度 | RT~150℃ |
| 键合压力 | 10KN |
| 极限真空度 | 100Pa |
| 对位精度 | ≤100μm |