主要特点

用于射频、惯性、光电集成等微系统晶圆级封装,高端MEMS、高性能逻辑器件、存储类芯片等同质/异质键合,支持8、12英寸晶圆,可选配模块有激活模块、对位模块、键合模块以及冷却模块,根据需求灵活选配。

规格参数

键合温度 RT~550℃
键合压力≤100KN
极限真空度10-6 Pa
对位精度≤1µm