主要特点
主要应用于半导体功率器件领域，常温环境低压键合，采用UV固化，具有工艺简单、产能高、节约成本等优点。
规格参数
| 键合压力 | ≤100N |
| TTV | ≤3um |
| 对位精度 | ≤100μm |
| 产能/WPH | ≥25 |
博纳半导体——砥砺创芯，团结奋发
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主要应用于半导体功率器件领域，常温环境低压键合，采用UV固化，具有工艺简单、产能高、节约成本等优点。
| 键合压力 | ≤100N |
| TTV | ≤3um |
| 对位精度 | ≤100μm |
| 产能/WPH | ≥25 |